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Enli LSD4 激光扫描缺陷测绘系统

enli LSD4 激光扫描缺陷测绘系统

ENLI LSD4 激光扫描缺陷测绘系统 产品叙述


激光扫描缺陷影像仪,是激光束诱导电流快3网投(LBIC)的升级版,利用波长能量大于半导体能隙大的激光束,照射在半导体后产生的电子-空穴对,通过快速的扫描样品表面,获得影像分布,可以得到内部电流的变化来了解分析各种的缺陷分布,帮助分析样品制备质量以及帮助工艺改进。

ENLI LSD4 激光扫描缺陷测绘系统 规格


型号项目规格
1-1激发波长a. 405 ± 5 nm(最高可扩充至 4 个雷射)
b. 多波长切换设计
c. 可软件控制输出波长
1-2激光光点a. TEM00 光斑
b. 单一波长光斑 < 100 um
c. 全系列波长 < 200 um
1-3扫描范围a. 扫描面积:10 cm x 10 cm
b. 可客制超过 16 cm x 16 cm之扫描范围
1-4扫描分辨率a. 扫描分辨率
- 10 um, ≦ 20 mm x 20 mm
- 50 um, ≦ 100 mm x 100 mm
b. 扫描频率
- 10 Hz, 25 Hz及 50 Hz
- 10 Hz, ≦ 4,000,000 像素
c. 可由软件设定扫描分辨率
1-5讯号量测模块a. 16 bit A/D 解析能力
b. S/N 可达>1000 以上
c. 超低噪声放大器模块
1-6量测时间a. <1 mins (For 20 mm x 20 mm with 50 um resolution)
b. <13 mins (For 160 mm x 160 mm with 50 um resolution)
1-7尺寸60 cm x 60 cm x 100 cm
1-8测量分析软件a. 激发波长切换
b. 雷射功率调整
c. LBIC 3D 图示
d. 2D 剖面分析(电极深宽度比)
e. 光电流回应分布分析(搭配长波长激光器)
f. 数据保存与输出功能
1-9计算机系统a. x86 兼容计算器包含屏幕键盘与鼠标
b. 微软操作系统
1-10选购项目1:
连续光雷射
a. 可添加 375 nm/ 450 nm/ 520 nm/ 638 nm/ 650 nm/ 780 nm ± 5 nm
b. b. 最小功率:50 mW
c. TEM00 输出
d. 功率输出稳定度:<2 %
1-11选购项目2:
外加偏压功能
a. 可施加偏压(0~5 V)(可扩充更大电压范围)
b. 软件控制(选配)

ENLI LSD4 激光扫描缺陷测绘系统 特点


● 可扫描光电流在样品表面的分布图像
● 可扫描各光电压在样品表面的分布图像
● 可扫描开路电压与短路电流分布
● 可分析表面脏污。
● 可分析短路区域分布
● 可辨识分析隐裂区域。
● 可分析少数载子扩散长度分布 (选配)
● 可做单波长量子效率 Mapping
ENLI LSD4 激光扫描缺陷测绘系统